關(guān)鍵詞：歐姆接觸 比接觸電阻率 環(huán)形傳輸線法 

摘要：為改善GaN基LED的p型氮化鎵(p-GaN)與透明導(dǎo)電層之間的接觸性能,采用磁控濺射法在p-GaN上制備了Ni/Au透明導(dǎo)電層。定性地分析了兩種金屬在薄膜中的作用,通過(guò)測(cè)量Ni/Au透明導(dǎo)電薄膜退火后的比接觸電阻率、方塊電阻和透過(guò)率來(lái)獲取最優(yōu)金屬層厚度,Ni和Au的厚度分別為3 nm和5 nm。在400℃、空氣氛圍下退火1 min時(shí),獲得了低的比接觸電阻率,薄膜方塊電阻為102Ω/,采用環(huán)形傳輸線法測(cè)量的比接觸電阻率為6.1×10-4Ω·cm2。薄膜的透過(guò)率在478 nm時(shí)達(dá)到了77.3%。使用該薄膜制備的LED,開(kāi)啟電壓為2.5 V,在工作電流為20 mA時(shí)的工作電壓為2.9 V,證實(shí)了所制備的Ni/Au薄膜可用于制備LED的透明導(dǎo)電層。

半導(dǎo)體技術(shù)雜志要求:

{1}本刊將對(duì)一稿兩投者表示公開(kāi)譴責(zé)，通知作者單位，并2年內(nèi)拒絕該文第一作者的任何來(lái)稿。

{2}摘要(200～400字，需有簡(jiǎn)明的研究目的、研究方法、結(jié)果、結(jié)論等，不少于200字)。中英文。

{3}作者應(yīng)對(duì)稿件中的史實(shí)、錯(cuò)別字、引文、標(biāo)點(diǎn)符號(hào)等問(wèn)題仔細(xì)地核對(duì)和訂正。

{4}注釋一律采用腳注。腳注用小五宋體，包括文獻(xiàn)作者、文獻(xiàn)題名、出版社及出版年或期刊的年（卷）、起止頁(yè)碼，用帶圓圈的阿拉伯?dāng)?shù)字序號(hào)標(biāo)注，每頁(yè)單獨(dú)編號(hào)。

{5}參考文獻(xiàn)的著錄格式采用順序編碼制，請(qǐng)按文中出現(xiàn)的先后順序編號(hào)。所引文獻(xiàn)必須是作者直接閱讀參考過(guò)的、最主要的、公開(kāi)出版的文獻(xiàn)。

注：因版權(quán)方要求，不能公開(kāi)全文，如需全文，請(qǐng)咨詢雜志社