關(guān)鍵詞：cvd sic 微觀結(jié)構(gòu) 

摘要：利用低密度的C/C復(fù)合材料為沉積基體,通過(guò)化學(xué)氣相沉積法制備氣相生長(zhǎng)SiC,分析并研究了不同沉積位置和反應(yīng)物濃度下氣相生長(zhǎng)SiC的微觀形貌和物相組成.結(jié)果表明,隨著反應(yīng)物氣體濃度的降低,多孔C/C復(fù)合材料基體上氣相生長(zhǎng)的SiC的微觀結(jié)構(gòu)呈區(qū)域性變化,SiC薄膜依次向SiC薄膜和顆粒、SiC短棒、SiC納米線轉(zhuǎn)變.探討了不同反應(yīng)物濃度氣氛中過(guò)飽和度誘導(dǎo)原子遷移和氣相分子吸附的過(guò)程,并提出一個(gè)SiC的生長(zhǎng)模型.

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