關(guān)鍵詞：模擬集成電路 溫度循環(huán)應(yīng)力 封裝失效 加速退化試驗(yàn) 

摘要：針對模擬集成電路在溫度循環(huán)應(yīng)力下的封裝退化過程進(jìn)行了研究。設(shè)計(jì)了對應(yīng)的加速退化試驗(yàn),并根據(jù)其加速應(yīng)力模型擬合分析了試驗(yàn)數(shù)據(jù),得到了加速退化方程,推算出了日常應(yīng)用條件下器件的貯存壽命。

電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn)雜志要求:

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