關鍵詞：磁控濺射 二硫化鉬 復合薄膜 

摘要：采用單靶與雙靶磁控共濺射技術,在非晶態石英玻璃基底上分別沉積生長了MoS 2薄膜及MoS 2/C復合薄膜.利用X射線衍射、拉曼光譜檢測技術對MoS 2薄膜和MoS 2/C復合薄膜材料的結構進行表征,探討了退火處理前后薄膜結構的變化.結果表明,通過脈沖和射頻雙靶共濺射制備的MoS 2/C復合薄膜,碳原子對二硫化鉬的空隙進行了填充,經過400℃真空退火20分鐘,獲得了結晶度較好的MoS 2/C復合薄膜材料.

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