HSQ用于電子束曝光的性能分析

趙珉 陳寶欽 劉明 謝常青 朱效立 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所納米加工與新器件集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室 北京100029

關(guān)鍵詞:電子束曝光技術(shù) 抗蝕劑工藝 鄰近效應(yīng) 

摘要:作為一種非化學(xué)放大的無(wú)機(jī)負(fù)性電子束光刻抗蝕劑,HSQ(hydrogen silsesquioxane)具有極高的分辨率(約5nm),由于靈敏度較低,限制了其在微納米加工方面的應(yīng)用。從化學(xué)結(jié)構(gòu)變化的角度分析了HSQ在電子束曝光中的性能,通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其靈敏度及對(duì)比度受前烘溫度及顯影液濃度的影響較大,并且其在電子柬曝光中的鄰近效應(yīng)也可以通過(guò)改變這兩個(gè)條件而得到一定的抑制。根據(jù)所得優(yōu)化工藝條件,在450nm膠層上,制作出100nm等間距光柵結(jié)構(gòu)膠層圖形,且其側(cè)壁陡直性良好。

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